太陽能鍺晶片

公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


鍺晶片技術規格

   生長方法

  Growth Method 

   VGF 

  摻雜類型

  Dopant 

  P型:鎵 

  p-type: Ga 

  N型:砷

  n-type: As

  晶片形狀

  Wafer Shape 

  圓形(尺寸2346英寸)

  Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根據客戶需求加工 

  電阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

  根據客戶要求

  As Required

  位錯 

  Etch Pitch Density (cm2) 

  ≤ 300 

  厚度 

  Thickness (μm) 

  175±25(或根據客戶要求)

  175±25 (or as required) 

  TTV [P/P] (μm) 

  ≤ 10 

  WARP (μm) 

  ≤ 15 

  IF** (mm) 

  32.5±1 

  **If needed by customer 

      根據客戶需要 

  主面拋光

  Surface 

   E/E, P/E, P/G 


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